MEMS 振蕩器和石英晶體振蕩器的特性

振蕩器指標(biāo)參數(shù)：初始頻率公差、頻率對(duì)溫度的穩(wěn)定度及噪音和抖動(dòng)特性等。

全硅MEMS 振蕩器通過內(nèi)建電路對(duì)硅諧振單元的溫度特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償，以此確保穩(wěn)定性。這種用于補(bǔ)償?shù)碾娐繁环Q為“小數(shù)分頻鎖相環(huán)”電路。Frac-N PLL 指使用了小數(shù)分頻器的鎖相環(huán)電路，它可以產(chǎn)生輸入頻率的小數(shù)倍的輸出頻率。全硅MEMS 振蕩器使用這種方法改變硅諧振單元在各溫度點(diǎn)的分頻比，以此控制輸出信號(hào)的起振頻率進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

石英晶體振蕩單元的振蕩器無需溫度補(bǔ)償也可應(yīng)對(duì)較寬的溫度范圍，并且沒有使用進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)逆i相環(huán)電路。它可以保持石英本身所具有的針對(duì)溫度變化而相對(duì)穩(wěn)定的溫度特性，即不出現(xiàn)頻率間斷性跳動(dòng)的情況。

硅諧振單元也可以通過尺寸管理、改換電極材料等方法個(gè)別進(jìn)行溫度補(bǔ)償，而只改變初始值的分頻比。但這將導(dǎo)致全硅MEMS 振蕩器生產(chǎn)效率下降、單價(jià)上升的后果，有損于其自身優(yōu)勢(shì)。