振蕩器指標參數(shù)：初始頻率公差、頻率對溫度的穩(wěn)定度及噪音和抖動特性等。
全硅MEMS 振蕩器通過內建電路對硅諧振單元的溫度特性進行溫度補償，以此確保穩(wěn)定性。這種用于補償?shù)碾娐繁环Q為“小數(shù)分頻鎖相環(huán)”電路。Frac-N PLL 指使用了小數(shù)分頻器的鎖相環(huán)電路，它可以產生輸入頻率的小數(shù)倍的輸出頻率。全硅MEMS 振蕩器使用這種方法改變硅諧振單元在各溫度點的分頻比，以此控制輸出信號的起振頻率進行溫度補償。
石英晶體振蕩單元的振蕩器無需溫度補償也可應對較寬的溫度范圍，并且沒有使用進行溫度補償?shù)逆i相環(huán)電路。它可以保持石英本身所具有的針對溫度變化而相對穩(wěn)定的溫度特性，即不出現(xiàn)頻率間斷性跳動的情況。
硅諧振單元也可以通過尺寸管理、改換電極材料等方法個別進行溫度補償，而只改變初始值的分頻比。但這將導致全硅MEMS 振蕩器生產效率下降、單價上升的后果，有損于其自身優(yōu)勢。
