標(biāo)稱頻率:有源晶振中心頻率或頻率的標(biāo)稱值.
頻率準(zhǔn)確度:有源晶振輸出頻率在室溫(25°C± 2°C)下相對(duì)標(biāo)稱頻率偏差.
頻率范圍:某種規(guī)格的有源晶振所能產(chǎn)生頻率的頻帶范圍.
頻率穩(wěn)定度:在指定溫度范圍內(nèi)有源晶振輸出頻率相對(duì)于25°C時(shí)測(cè)量值的最大允許頻率偏差.
工作溫度范圍:能夠保證有源晶振輸出頻率及其他各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。
老化:在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化.
電源電壓:加在有源晶振電源端(Vcc)的能夠使振蕩器正常工作的電壓。
電源電流:流過(guò)有源晶振電源端(Vcc)的總電流.
高電平電壓(VOH):在合適負(fù)載下有源晶振輸出高電平所允許的最小電壓。
低電平電壓(VOL):在合適負(fù)載下有源晶振輸出低電平所允許的最大電壓。
占空比:反映輸出波形的對(duì)稱性,也就是,在一個(gè)周期內(nèi),高電平與低電平所占比例之比。
上升時(shí)間(Tr):方波從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降臅r(shí)間。
下降時(shí)間(Tf):方波從高電平轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)間。
相位噪聲:用于表述有源晶振的短期頻率波動(dòng),通常定義為載波發(fā)生某一頻率偏移時(shí)在1Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率密度,單位為dBc/Hz。
HCMOS/TTL 兼容:設(shè)計(jì)有源晶振使之既能驅(qū)動(dòng)TTL負(fù)載,又能驅(qū)動(dòng)HCMOSL負(fù)載,同時(shí)維持最小的HCMOS邏輯高電平.
扇出:描述有源晶振帶負(fù)載的能力,表示一個(gè)輸出能帶負(fù)載的數(shù)目,可用一個(gè)等效負(fù)載電容CL表示,或者用一個(gè)由二極管、負(fù)載電阻及一個(gè)電容組成的TTL負(fù)載電路表示。